前工程 【完全図解】高アスペクト比エッチングとは？3D NANDとDRAMの「細く深い穴」を掘る技術
高アスペクト比エッチングとは、幅に比べてとても深い穴や溝を、まっすぐ掘るエッチングです。3D NANDやDRAMで必要な理由、深くなるほど起きる4つの問題、極低温エッチングなどの対策、装置メーカーまで図解で整理します。
エッチング
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企業・関連銘柄 Lam Researchとは？何の会社か・決算はいつか・AIインフラのどこにいるか（ラムリサーチ、LRCX）｜基本データと関連記事・最新の速報
Lam Researchとは何の会社か。エッチングと成膜の半導体製造装置の世界大手で、AI向けの先端ロジックとHBMの工場に装置を納めます。6月決算の決算期と次の決算日（日本時間10月22日）、売上と利益率、地域別・市場別の内訳、関連記事と最新の速報を1ページに。
前工程 【図解】エッチング装置メーカーの2強｜東京エレクトロンとLam Researchは何が違うのか
エッチング装置メーカーの2強、東京エレクトロンとLam Researchを比べます。得意な膜の違い、メモリとロジックでの強み、極低温エッチングの競争、装置とサービスの売上、なぜ寡占になるのかまで、公表資料をもとに図解で整理します。
前工程 【完全図解】RIEとは？反応性イオンエッチングがプラズマで「真下に削る」仕組み
RIEとは、プラズマの中のイオンとラジカルで膜を真下に削るドライエッチングです。なぜ横に広がらないのか、CCPとICPの違い、膜ごとのガス、ボッシュ法やALEなどの発展形、装置メーカーまで図解で整理します。
前工程 【図解】ウェットエッチングとドライエッチングの違い｜7つの視点で比較
ウェットエッチングとドライエッチングの違いを初心者向けに図解。等方性と異方性、コスト、処理方式を7つの視点で比較し、なぜ先端半導体はドライが主役でもウェットが消えないのかを構造で解説します。
前工程 【完全図解】エッチングとは？半導体を「削って形を作る」工程を1から解説
エッチングとは何かを初心者向けに図解。露光で描いた設計図を実際の形にする「削る工程」の役割、ウェット/ドライの違い、選択比・異方性の意味、Lam Researchと東京エレクトロンの寡占構造まで一気に整理します。