前工程 【図解】エッチング装置メーカーの2強｜東京エレクトロンとLam Researchは何が違うのか
エッチング装置メーカーの2強、東京エレクトロンとLam Researchを比べます。得意な膜の違い、メモリとロジックでの強み、極低温エッチングの競争、装置とサービスの売上、なぜ寡占になるのかまで、公表資料をもとに図解で整理します。
半導体プロセス
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前工程 【完全図解】イオン注入とは？不純物を「狙った深さ」に打ち込む装置の仕組み
イオン注入とは、不純物をイオンにして電気で加速し、ウェーハの狙った場所と深さに打ち込む前工程です。装置の中身、エネルギーとドーズ量、3種類の装置、結晶の傷とアニール、SiC向けの加熱注入、装置メーカーまで図解で整理します。
前工程 【完全図解】RIEとは？反応性イオンエッチングがプラズマで「真下に削る」仕組み
RIEとは、プラズマの中のイオンとラジカルで膜を真下に削るドライエッチングです。なぜ横に広がらないのか、CCPとICPの違い、膜ごとのガス、ボッシュ法やALEなどの発展形、装置メーカーまで図解で整理します。
前工程 【図解】ウェットエッチングとドライエッチングの違い｜7つの視点で比較
ウェットエッチングとドライエッチングの違いを初心者向けに図解。等方性と異方性、コスト、処理方式を7つの視点で比較し、なぜ先端半導体はドライが主役でもウェットが消えないのかを構造で解説します。
前工程 【完全図解】エッチングとは？半導体を「削って形を作る」工程を1から解説
エッチングとは何かを初心者向けに図解。露光で描いた設計図を実際の形にする「削る工程」の役割、ウェット/ドライの違い、選択比・異方性の意味、Lam Researchと東京エレクトロンの寡占構造まで一気に整理します。
後工程 バックグラインドとは？半導体ウェーハの裏面を紙より薄く削る工程を図解
バックグラインド（ウェーハ薄化）を初心者向けに解説。775μmを50μm以下に削る理由、粗研削・仕上げ研削の2段構造、DISCO・東京精密の寡占構造を図解で整理。後工程の入口がわかります。
後工程 【完全図解】ウェハープローバーとは？検査装置の中身を解説
ウェハープローバーを初心者向けに図解。テスタ・プローブカードとの役割分担、位置決め精度とオーバードライブの仕組み、東京精密・東京エレクトロンの寡占構造まで、投資家目線で整理します。
後工程 【完全図解】KGDとは？HBM時代の最重要概念をやさしく解説
KGD（Known Good Die）を初心者向けに図解。ウェハーテストで良品ダイを見極める意味、HBM積層で歩留まりが掛け算になる構造、テラプローブ・日本電子材料など関連企業まで整理します。
後工程 【完全図解】ウェハーテストとは？切る前に”動くか”を確かめる工程
ウェハーテスト（プロービング）を初心者向けに図解。プローバ・プローブカード・テスタの3役割、切る前に検査する理由、ウェハーマップと歩留まりの関係、アドバンテスト・東京精密など関連企業まで一気に整理します。
後工程 【図解】TAIKO研磨とは？ウェーハの端だけ残す技術
TAIKO研磨（TAIKOプロセス）を初心者向けに解説。外周3mmを削り残すだけで反り・割れ・搬送を解決する仕組み、リング除去の方法、DISCO（6146）の技術優位を図解で整理します。