メモリ・HBM・先端パッケージ 【図解】MR-MUFとTC-NCFの違い｜HBMのチップを積んで固める2つの方法と、SK hynix・Samsungの選択
MR-MUFとTC-NCFの違いは、HBMのDRAMを積んで固める方法の違いです。1層ずつ膜で熱圧着するTC-NCFと、まとめてつないで液で埋めるMR-MUFを熱・反り・生産性で比べ、SK hynixとSamsungの選択を図解します。
メモリ・HBM・先端パッケージ
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メモリ・HBM・先端パッケージ DRAMとNANDの違いとは？DRAMは「作業机」、NANDは「書庫」｜AIデータセンターでの役割と作る会社
DRAMとNANDの違いを、データのため方・電源を切ったとき・速さ・値段・使い道など7つの視点で図解します。AIデータセンターで2つがどう使い分けられ、なぜ両方とも足りなくなっているのか、作る会社の顔ぶれまで整理します。
メモリ・HBM・先端パッケージ インターポーザーとは？チップと基板の間の「変換アダプタ」の役割と、シリコン・有機・ガラスの違い
インターポーザーとは、GPUとHBMのような複数のチップを並べてつなぐ、チップと基板の間の中間の板です。なぜ必要なのか、シリコン・有機(RDL)・ガラスの違い、大きさの限界、ブリッジという別の解き方までを図解します。
メモリ・HBM・先端パッケージ CoWoS関連銘柄｜TSMCの先端パッケージを作る工程ごとに、装置・材料・基板の会社を整理
CoWoS関連銘柄はどこか？TSMCの先端パッケージを作る流れ（インターポーザー・接合・削る・封止・基板・検査）に沿って、ディスコ・TOWA・味の素・イビデン・ASMPT・Besiなどを並べ、各社の資料が「CoWoS」とまで書いているかも確かめました。
メモリ・HBM・先端パッケージ 【完全図解】HBM4Eとは？HBM4との違いと、HBM5までのロードマップ・3社のサンプル出荷
HBM4の量産が始まったばかりなのに、ニュースではもう「HBM4E」の名前が出てきます。HBM4Eとは何で、HBM4と何が違い、いつ使われるのでしょうか。 こんな疑問はありませんか？ HBM4Eとは、どんなメモリなの？ HBM4と比べて、何...
メモリ・HBM・先端パッケージ 3D NANDとは？NAND型フラッシュメモリを「何百階建て」に積む仕組みと、AIでSSDが足りない理由
3D NANDとは、データをためる部屋(メモリセル)を縦に何百層も積み上げたフラッシュメモリです。平面から立体に変わった理由、積んだ膜を穴で貫く作り方、層の数の競争、AIの推論でSSDの需要が増える理由までを図解します。
メモリ・HBM・先端パッケージ CCL（銅張積層板）とは？プリント基板の「素材の板」の仕組みと、AIサーバーで低損失の材料が要る理由
CCL(銅張積層板)とは、ガラスクロスに樹脂をしみこませて重ね、両面に銅箔を貼ったプリント基板の素材の板です。中身と作り方、速い信号で効く誘電率と損失、樹脂・ガラス・銅箔の3つの工夫、AIサーバーでM8・M9級の材料が増える理由を図解します。
メモリ・HBM・先端パッケージ ガラスクロスとは？基板の中の「ガラスの布」の役割と、AIで足りなくなったTガラス・低誘電ガラス
ガラスクロスとは、細いガラス繊維を織った布で、樹脂と重ねて基板の芯にします。何のために入れるのか、Tガラス(低熱膨張)とNEガラス(低誘電)の違い、ガラスコア基板との違い、AIで品薄になった理由までを図解します。
メモリ・HBM・先端パッケージ HBMシェアの推移｜SK hynix・Samsung・Micronの会社別シェアを四半期ごとに更新【定点観測】
HBMシェアの推移を四半期ごとに記録する定点観測ページ。SK hynix・Samsung・Micronの会社別シェアを、数字・時点・出典の表と推移の図で整理し、売上と出荷量の違いなど数字の読み方も解説します。
メモリ・HBM・先端パッケージ 【完全図解】HPBとは？チップの中に”煙突”を建てる発想
HPB（Heat Path Block）を初心者向けに完全図解。銅で熱の専用出口を作り従来材料の500〜1000倍で熱を逃がす仕組み、SK hynixのiHBMとの違い、2028年HBM5量産までの道筋を、冷却とHBMの両面からやさしく解説。