前工程 レチクル・フォトマスクとは？違いと構造、ペリクルを図解｜日本企業が寡占する半導体の「型紙」
フォトマスク・レチクル（レティクル）とは、半導体の回路パターンを描いた「型紙」で、露光装置で光を通してウェーハに回路を写します。フォトマスクとレチクルの違い、EUVマスクの構造、ペリクル、日本企業が世界シェアで寡占する理由を図解します。
シラス
前工程 
前工程 【完全図解】マルチパターニングとは？パターニングの意味とLELE・SADP・SAQPの違い
マルチパターニング（マルチプルパターニング）とは、1回の露光では描けない細い模様を、露光や加工を何回か組み合わせて作る技術です。パターニングの意味、LELE・SADP・SAQPの違い、EUVとの関係と関連企業を図解します。
前工程 【完全図解】High-NA EUVとは？NA0.55の仕組み・従来EUVとの違いと採用の現状
High-NA EUVとは、レンズの開口数（NA）を0.33から0.55に上げた次世代のEUV露光装置で、ASMLが製造しています。従来EUVとの違い、アナモルフィックレンズ、Intel・TSMC・SK hynixの採用の現状、課題を図解します。
前工程 EUVとは？極端紫外線の読み方・波長13.5nmの意味とEUV露光の仕組みを図解
EUV（イーユーブイ、極端紫外線）とは、波長13.5nmのとても短い光で、最先端の半導体の回路を焼き付ける露光に使います。読み方、波長の意味、スズのプラズマ光源・鏡・真空の仕組み、ASMLが独占する理由を図解します。
前工程 ArF液浸露光とは？ArFの意味・仕組みと液浸露光装置のメーカーを図解
ArF液浸露光とは、ArF（フッ化アルゴン）エキシマレーザーの193nmの光で、レンズとウェーハの間を水で満たして露光する技術です。ArFの意味、水で細い線が描ける仕組み、ArFドライとの違い、液浸露光装置のメーカーを図解します。
前工程 i線・KrF・ArF・EUVの違いとは？露光の光源の波長と名前の意味、50年の進化を図解
半導体の露光の光源は、水銀ランプのi線（365nm）からKrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）へと短い波長に進化してきました。名前の意味と読み方、違い、ASML・ギガフォトンの位置づけを図解します。
前工程 リソグラフィ（リソグラフィー）とは？半導体に「設計図を焼き付ける」工程を完全図解
リソグラフィ（リソグラフィー）とは、光で回路の設計図をウェーハに焼き付ける半導体の工程です。レジストの塗布・露光・現像の流れ、解像度を決める光の波長とNA、i線からEUVまでの光源、ASML・ニコン・キヤノンの位置づけまで図解で解説します。
前工程 半導体の成膜装置の世界シェア｜AMAT・Lam・東京エレクトロンの寡占構造を図解
半導体の成膜装置の世界シェアは、AMAT・Lam Research・東京エレクトロン・KOKUSAI ELECTRICなど少数の会社が大半を占めます。CVD・PVD・ALDの方式ごとに強い会社、寡占が続く理由、シェアの数字の読み方を図解します。
前工程 ALDとは？半導体の原子層堆積の意味・仕組みとCVDとの違いを初心者向けに図解
ALD（原子層堆積）とは、2種類の原料ガスを交互に流し、原子1層分ずつ膜を積む半導体の成膜技術です。意味と4つの手順、CVD・PEALD・ALEとの違い、GAAや3D NAND、HBMで欠かせない理由、装置メーカーの住み分けを図解します。
前工程 スパッタリングとは？PVDとスパッタの違い・仕組みとCVDとの違いを半導体の成膜で図解
PVDとは物理的な方法で膜を作る成膜の総称で、スパッタリングはその代表的な方法です。PVDとスパッタの違い、意味、アルゴンで金属を弾き飛ばす仕組み、CVDとの違い、AMAT・ULVACなど主な装置メーカーを初心者向けに図解します。