シラス

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CVDとは?LPCVDとPECVDの違いを初心者向けに図解

半導体のCVD(化学気相成長)を初心者向けに解説。LPCVDとPECVDの違い、AMAT・Lam Research・東京エレクトロン・KOKUSAI ELECTRICの装置、AI半導体時代の役割を図解で整理。
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熱酸化とは?熱酸化膜の作り方、ドライ酸化とウェット酸化・CVD酸化膜との違いを図解

熱酸化とは、シリコンのウェーハを高温の酸素や水蒸気にさらし、表面のシリコンを二酸化ケイ素(SiO2)の膜に変える工程です。熱酸化膜の特徴、ドライ酸化とウェット酸化、CVD酸化膜との違い、ゲート酸化膜の役割、縦型炉の会社を図解します。
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成膜とは?ウェーハに「膜」を積み重ねる工程をやさしく解説

半導体の「成膜」をゼロから図解で解説。CVD・PVD・ALD・熱酸化の違い、装置メーカーの寡占構造、ウェーハに膜を積む理由を初心者にもわかる言葉で整理します。
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信越化学とSUMCOの違いとは?シリコンウェーハで日本2社が世界を握る理由を図解

信越化学とSUMCOは、シリコンウェーハで世界の上位2社を占める日本企業です。総合化学の信越化学とウェーハ専業のSUMCOという違い、決算で見る場所、寡占を支える3つの要因、シリコンサイクルと中国勢の台頭を図解します。
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【完全図解】SiC・GaN・Siの違い|パワー半導体時代の基板戦争

SiC(炭化ケイ素)・GaN(窒化ガリウム)・Si(シリコン)の違いを、バンドギャップ・耐圧・用途・主要メーカーの観点から徹底比較。EV時代に主役交代が起きるか、Wolfspeed・ロームなど業界の勢力図を構造で解説。
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エピタキシャル成長とは?エピの意味とCVDとの違い・温度と圧力・装置を図解

エピタキシャル成長(エピ成長)とは、単結晶の基板の上に、原子がそろって並んだ単結晶の薄膜を育てる技術です。CZ法のウェーハだけでは足りない理由、ホモエピとヘテロエピの違い、SiC・GaNで重要性が増す理由を図解。
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CZ法・FZ法とは?シリコン単結晶の作り方と違いを図解|MCZ法と用途の使い分け

CZ法(チョクラルスキー法)は溶かしたシリコンから結晶を引き上げる方法、FZ法(フローティングゾーン法)はルツボを使わず部分的に溶かして結晶にする方法です。原理と5つの違い、MCZ法、用途の使い分けと信越化学・SUMCOの強みを図解します。
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シリコンウェーハ(ウエハー)とは?なぜシリコンか・直径300mmが主流の理由・作り方と信越化学・SUMCOの強みを図解

シリコンウェーハ(シリコンウエハー)とは、半導体チップを作る土台になる円盤状の薄い板です。なぜシリコンなのか、直径300mmが主流の理由、単結晶からの作り方、信越化学・SUMCOなど日本勢が強い業界の構造までを図解で解説します。
半導体製造(前工程・後工程)

【完全図解】半導体の前工程・後工程とは?英語表記と製造工程の流れを1枚の地図で解説

半導体の製造工程は、回路を作る前工程(front-end)と、切り分けて組み立て・検査する後工程(back-end、assembly and test)に分かれます。工程名の英語の一覧と、前工程・後工程の流れ、装置と材料の会社を図解します。
企業・関連銘柄

味の素ファインテクノのABFとは?AI半導体を支える絶縁フィルムが世界シェアほぼ100%の理由

味の素ファインテクノのABF(味の素ビルドアップフィルム)とは、CPU・GPUのパッケージ基板で配線を絶縁するフィルムで、ハイエンド帯の世界シェアは約95〜100%です。食品会社の技術がAI半導体に欠かせない理由と競合、リスクを図解します。